[发明专利]高场不对称离子迁移管有效

专利信息
申请号: 201310683904.4 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN103646844B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 谭政;聂蓉 申请(专利权)人: 北京声迅电子股份有限公司
主分类号: H01J49/02 分类号: H01J49/02;H01J49/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 李相雨
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 不对称 离子 迁移
【说明书】:

技术领域

发明涉及安全检测技术领域,具体涉及高场不对称离子迁移管。

背景技术

离子迁移谱技术(IMS)是一种应用比较广泛的微量爆炸物探测技术。离子迁移谱仪基于不同离子在均匀弱电场下的漂移速度不同而实现对离子的分辨,但是其灵敏度依赖于迁移管的长度,对小型化造成一定的困难。而且很多物质在低场下的离子迁移率非常接近,检测更为困难。高场不对称离子迁移谱技术(FAIMS)利用离子在高电场中的离子迁移率系数的非线性变化实现离子的纵向分离,从而实现对物质的鉴别。它是离子迁移谱技术的最新发展,有些离子的迁移率非常接近,在普通的IMS迁移管中无法得到很好的分离,但是在FAIMS迁移管中,通过施加强电场,迁移率有可能发生非线性变化,相差较大,然后通过不同的补偿电压可以得到较好的分离。FAIMS不需要离子门,迁移区的长度可以做到很小,而且灵敏度更高,选择性更好。

高场不对称波形离子迁移管是FAIMS的核心部件,迁移管的效果直接影响离子迁移谱仪的性能,迁移管的结构和制作工艺的复杂程度将直接影响到仪器的加工成本。

现有的技术一般采用平板式迁移管结构,受外界的电场干扰较大,一般需要专门为接高场不对称电压信号的极板增加屏蔽罩,制备工艺相对复杂,成本较高,且这种结构离子损耗较高,灵敏度低。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足,本发明提供一种高场不对称离子迁移管,具有小型化、灵敏度高的优点,同时结构相对简单、成本较低。

(二)技术方案

为了实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:

一种高场不对称离子迁移管,包括:高场不对称电极板、电离源、标准物参照筒和检测电极;

所述高场不对称电极板包括外管和内管,外管接地,内管接高场不对称信号,外管和和内管之间形成气流通道,所述气流通道被前后延伸的隔离物分隔为样品通道和内标物通道,内管开设有连通内标物通道的通孔;

所述电离源包括外电离源和内电离源,外电离源设于外管的前端,内电离源置于内管之中;

所述标准物参照筒置于内管之中并在所述内电离源之前;

所述样品通道和内标物通道的后端都设置有检测电极。

其中,所述隔离物为聚四氟乙烯塑料。

其中,所述电离源为放射性电离源和紫外光电离源。

其中,所述放射性电离源为Ni63放射源。

其中,所述标准参照筒包括由表面涂有微量TNT炸药的金属网卷成的多层网状结构以及金属外筒。

其中,所述检测电极为两个圆弧形金属片,分别放置在内标物通道和样品通道中。

较佳地,在内管的后端还包括偏转电极,与所述检测电极的位置相对。

其中,所述偏转电极为圆柱式金属环。

较佳地,在外管的末端还包括气泵接口,用于连接抽气泵。。

(三)有益效果

本发明至少有以下有益效果:

本发明中,高场不对称电极板为筒式结构,包括内管和外管并经外管接地,会有很好的屏蔽效应,能够尽可能减少高场信号对其他电子器件的影响,与平板式不同,不需要专门为接高场不对称信号的极板增加屏蔽罩,从而使本发明的离子迁移管具有小型化、灵敏度高的优点。本发明通过将设置在内管和外管之间的气流通道分隔成样品通道和内标物通道并添加标准物参照筒,使得测试样品时能够以内标物为参照,从而使测试结果更为准确。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种高场不对称离子迁移管的结构示意图;

图2为本发明实施例提供的一种高场不对称离子迁移管检测极板的结构示意图;

图3为本发明实施例提供的高场不对称离子迁移管的气流通道的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

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