[发明专利]一种改善漏电的射频LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310671894.2 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104716177A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 遇寒;周正良;李昊;蔡莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种改善漏电的射频LDMOS器件，在栅氧化层之上具有硅化物阻挡层，在硅化物阻挡层之上具有屏蔽环阻挡层。在漏极之上具有引出端粘附层，在引出端粘附层之上具有漏极引出端。在屏蔽环介质层上具有屏蔽环粘附层，在屏蔽环粘附层上具有金属法拉第屏蔽环。所述引出端粘附层和屏蔽环粘附层为相同的多晶硅或钛材料。所述漏极引出端和金属法拉第屏蔽环为相同的金属或金属硅化物材料。本申请还公开了所述射频LDMOS器件的制造方法。本申请可以得到更小的漏电并且加强屏蔽作用，改善产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 漏电 射频 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种改善漏电的射频LDMOS器件，在栅氧化层之上具有硅化物阻挡层，在硅化物阻挡层之上具有屏蔽环阻挡层；其特征是：在漏极之上具有引出端粘附层，在引出端粘附层之上具有漏极引出端；在屏蔽环介质层上具有屏蔽环粘附层，在屏蔽环粘附层上具有金属法拉第屏蔽环；所述引出端粘附层和屏蔽环粘附层为相同的多晶硅或钛材料；所述漏极引出端和金属法拉第屏蔽环为相同的金属或金属硅化物材料。
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