[发明专利]一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法有效
| 申请号： | 201310670912.5 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103805952A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 魏修宇;黄江波;龙坚战;张外平;李光宗;夏艳成;常理;宋立强 | 申请（专利权）人： | 株洲硬质合金集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/18 |
| 代理公司： | 长沙永星专利商标事务所 43001 | 代理人： | 周咏;米中业 |
| 地址： | 412000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体用Φ400以上大尺寸高纯钨靶材，直径≥400mm，纯度达到99.999%以上、致密度99.5%以上、晶粒度≤100μm；其制备包括：将纯度99.999%以上、粒度2.2~2.6μm的钨粉均匀混合；180~250MPa、5~10分钟的冷等静压压制成型；2300℃~2400℃、8~12小时的中频感应烧结；1450~1550℃退火90~180分钟后，经多道次热轧至5~15mm厚度，热轧总变形量大于60%；再经经1300~1400℃退火90~150分钟后，进行机械加工，其上下表面的机械加工量均≥1.5mm；最终获得的钨靶材不仅性能优异，且工艺相对简单，对设备的要求不高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 高纯 钨靶材 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸高纯钨靶材，直径≥400mm，纯度达到99.999%以上、致密度99.5%以上、晶粒度 ≤100μm。
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