[发明专利]一种使用硅模具的光阻墙成型方法无效
申请号: | 201310666846.4 | 申请日: | 2013-12-10 |
公开(公告)号: | CN103728831A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 徐成;于大全;李昭强 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F1/80;H01L27/146 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良;韩凤 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种使用硅模具的光阻墙成型方法,其首先制作正面具有凸台阵列的硅模具,凸台之间的网格状凹槽形成模具型腔;将硅模具正面用模压的方法压在带热塑性材料的第一基板上;或者采用压注的方法将硅模具正面和第一基板之间填满热塑性材料;待热塑性材料填满模具型腔后,将硅模具与第一基板分模,在第一基板上形成光阻墙结构,再将第一基板进行清洗,去除第一基板和光阻墙结构上的残留物。所述硅模具可使用湿法刻蚀、干法刻蚀、激光切割或线切割的方法制作。其优点是:使用硅做模具可以大大降低模具制造成本,同时使用刻蚀方法可以方便灵活的制作不同图形的光阻墙结构。相比现有的光刻工艺,使用硅模具对光阻墙材料的要求具有更大的选择性。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 模具 光阻墙 成型 方法 | ||
【主权项】:
一种使用硅模具的光阻墙成型方法,其特征是,包括以下步骤:(1)制作硅模具(1),所述硅模具(1)正面具有凸台阵列(2),凸台之间的网格状凹槽形成模具型腔;(2)在第一基板(4)上涂布热塑性材料(3),厚度为20至100微米,并加热至材料融化温度,将硅模具(1)正面用模压的方法压在带所述热塑性材料(3)的第一基板(4)上;或者采用压注的方法将硅模具(1)正面和第一基板(4)之间填满热塑性材料(3);(3)待热塑性材料(3)填满模具型腔后,将硅模具(1)与第一基板(4)分模,在第一基板(4)上形成了光阻墙结构(6),再将第一基板(4)进行清洗,去除第一基板(4)和光阻墙结构(6)上的残留物。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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