[发明专利]多层同质生长铁酸铋薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310646917.4 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103668060A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 严胡睿;周文亮;杨平雄;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料，包括底电极和铁酸铋薄膜，所述底电极是镍酸镧薄膜，所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法，用磁控溅射法在硅基片上制备所述底电极，采用固相法制备铁酸铋薄膜；在底电极上溅射一层所述铁酸铋薄膜，然后快速退火，重复以上溅射过程6-8次；最后慢退火处理，得到所述多层同质生长铁酸铋薄膜材料。本发明得到的铁酸铋薄膜均匀性好、纯度高、致密性好，表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法可控性强，易于操控，可以精确控制薄膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 同质 生长 铁酸铋 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
多层同质生长铁酸铋薄膜材料，其特征在于，包括底电极和铁酸铋薄膜，所述底电极是镍酸镧薄膜，所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。
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