[发明专利]考虑退化地确定功率半导体的阻挡层温度的方法及其实现装置有效
| 申请号： | 201310644163.9 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103852706B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | M.里希特;O.D.科勒 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司;索恩格汽车德国有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;胡莉莉 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 考虑退化地确定功率半导体的阻挡层温度的方法及其实现装置。提出一种基于在功率半导体（201）的运行中测量的功率半导体（201）的损耗功率（Pv）以及损耗功率（Pv）与功率半导体（201）的取决于温度的阻抗（Zth）之间的关系来确定功率半导体（201）的阻挡层温度（Tj）的方法，其中基于在功率半导体（201）的运行中记录的升温曲线来确定取决于温度的阻抗（Zth）。本发明还包括用于实施这样的方法的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 考虑 退化 确定 功率 半导体 阻挡 温度 方法 及其 实现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于在功率半导体（201）的运行中测量的所述功率半导体（201）的损耗功率（Pv）以及所述损耗功率（Pv）与所述功率半导体（201）的取决于温度的阻抗（Zth）之间的关系来确定所述功率半导体（201）的阻挡层温度（Tj）的方法，其中基于在所述功率半导体（201）的运行中记录的升温曲线来确定所述取决于温度的阻抗（Zth）。
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