[发明专利]考虑退化地确定功率半导体的阻挡层温度的方法及其实现装置

权利要求书

1.一种基于在功率半导体（201）的运行中测量的所述功率半导体（201）的损耗功率（Pv）以及所述损耗功率（Pv）与所述功率半导体（201）的取决于温度的阻抗（Zth）之间的关系来确定所述功率半导体（201）的阻挡层温度（Tj）的方法，其中基于在所述功率半导体（201）的运行中记录的升温曲线来确定所述取决于温度的阻抗（Zth）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中记录所述升温曲线包括：使所述功率半导体（201）发热，并且在给发热的功率半导体（201）施加测量电流的情况下通过冷却阶段（302）确定在所述功率半导体（201）上下降的电压（UDS）。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述发热通过如下方式进行：给所述功率半导体（201）施加负载电流直到达到所述功率半导体（201）的恒定温度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述负载电流为1至10A和/或所述测量电流为10至100mA。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述负载电流为10A和/或所述测量电流为100mA。

6.根据权利要求2至5之一所述的方法，其中从在所述功率半导体（201）上下降的电压（UDS）中基于校准曲线来确定所述功率半导体的温度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中借助于校准测量来确定所述校准曲线。

8.根据权利要求1至5之一所述的方法，其中至少两个功率半导体（201）的所记录的升温曲线及其交叉耦合以阻抗矩阵的形式给出。

9.根据权利要求8所述的方法，其中对所述功率半导体（201）的所述阻挡层温度（Tj）的确定从所述阻抗矩阵中借助于卷积方法进行。

10.一种用于机动车辆的调节方法（400），其中借助于根据前述权利要求之一所述的方法来确定至少一个功率半导体（201）的阻挡层温度（Tj），并且基于所述阻挡层温度（Tj）来确定所述至少一个功率半导体（201）的退化。

11.根据权利要求10所述的调节方法（400），其中基于所述至少一个功率半导体（201）的退化来适配用于所述至少一个功率半导体（201）的操控方法。

12.根据权利要求10或11所述的调节方法（400），其中基于所述至少一个功率半导体（201）的退化进行所述至少一个功率半导体（201）的向下调节，使得不实现阻挡层温度（Tj）的持续升高。

13.根据权利要求10所述的调节方法（400），其中所述机动车辆是混合动力车辆。

14.一种计算单元，其被设置为执行根据前述权利要求之一所述的方法。

15.根据权利要求14所述的计算单元，其中所述计算单元是机动车辆的控制设备。

16.一种机器可读存储介质，具有存储在其上的计算机程序，所述计算机程序具有程序代码装置，所述程序代码装置在根据权利要求14所述的计算单元上执行时促使计算单元执行根据权利要求1至13之一所述的方法。