[发明专利]一种基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201310638195.8 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104681639A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王飞;王吉宁;刘晓鹏;蒋利军;王树茂 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括依次制备在柔性基底上的电极一、p型或n型多晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、n型或p型非晶硅薄膜和电极二；其中，电极一和电极二分别为正极或负极。其制备方法包括：选择柔性基底并进行表面清洗处理；制备电极一；采用PECVD或HWCVD技术制备p型或n型非晶硅层，然后采用闪光灯退火法使其晶化为多晶硅薄膜；采用PECVD或HWCVD技术制备本征非晶硅薄膜；采用PECVD或HWCVD技术制备n型或p型非晶硅薄膜；制备电极二。本发明采用独特的薄膜制备及退火工艺，克服柔性基底耐高温性能差、热膨胀系数大的困难，成功地在柔性基底上制备出一种多晶硅太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 基底 多晶 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，包括依次制备在柔性基底上的电极一、p型或n型多晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、n型或p型非晶硅薄膜和电极二；其中，电极一和电极二分别为正极或负极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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