[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法

摘要

本发明提供了用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在通过形成阱层、盖层和势垒层来形成发光层的情况下，形成了具有优异的平坦性和结晶性的阱层，同时抑制了阱层发生损坏。在形成发光层时，在发光层中设置有凹坑以使得凹坑直径D落在120nm至250nm的范围内。发光层形成步骤包括形成势垒层、形成阱层以及形成盖层的步骤。势垒层的生长温度比阱层的生长温度高在65℃至135℃的范围内的任意温度。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件具有在衬底的主表面上的第III族氮化物半导体层，所述方法包括：形成发光层，所述形成发光层还包括以下步骤：形成势垒层，所述势垒层包含AlGaN；在所述势垒层上形成阱层，所述阱层包含InGaN；在所述阱层上形成盖层，所述盖层包含厚度在至范围内的GaN；以及重复形成所述势垒层，所述阱层和所述盖层；其中形成所述势垒层时的衬底温度比形成所述阱层时的衬底温度高出落在从65℃至135℃的范围内的任意温度；以及其中在形成所述发光层时，将在所述发光层的底表面处测得的平均凹坑直径调整为落在50nm至170nm的范围内；以及其中在形成所述发光层时，通过在形成所述势垒层时的温度上升期间用所述盖层部分填充进所述凹坑的内部而将在所述发光层的顶表面处测得的平均凹坑直径调整为落在120nm至250nm的范围内。