[发明专利]硅碳复合纳米管阵列的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310636741.4 申请日: 2013-12-03
公开(公告)号: CN103618072A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 赵成龙;宋春华;王瑛;陈欣 申请(专利权)人: 山东玉皇化工有限公司
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;B82Y40/00
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 张贵宾
地址: 274000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于锂离子电池领域,特别公开了一种硅碳复合纳米管阵列的制备方法。该硅碳复合纳米管阵列的制备方法,其特征为,将多孔阳极氧化铝模板在惰性气体下升温,通入乙炔气体,乙炔的高温气相分解在模板表面生成碳纳米管阵列,然后抽至真空,升温后通入惰性气体、氢气和硅烷,硅烷分解,得到包含在模板内的同轴碳纳米管和硅纳米管阵列;将其用氢氟酸水溶液浸泡去除模板和表面的氧化硅,干燥后得到产品。本发明只需要通过两步化学气相沉积和氢氟酸腐蚀就可以得到管径、管长和壁厚可控,尺寸均一的硅碳复合纳米管阵列,整个生产过程没有复杂的设备且工艺步骤简单,便于大规模工业化生产且产品的稳定性较好。
搜索关键词: 复合 纳米 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种硅碳复合纳米管阵列的制备方法,以多孔阳极氧化铝模板为原料,其特征为,包括如下步骤:(1)将多孔阳极氧化铝模板放入管式炉的加热区,在惰性气体下升温,通入乙炔气体,乙炔的高温气相分解在模板表面生成碳纳米管阵列;(2)将碳纳米管阵列放入管式炉的加热区,抽至真空,升温后通入惰性气体、氢气和硅烷,硅烷在氢气保护下的高温低压气相分解,得到包含在模板内的同轴碳纳米管和硅纳米管阵列;(3)将同轴碳纳米管和硅纳米管阵列用氢氟酸水溶液浸泡去除模板和表面的氧化硅,干燥后得到产品。
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