[发明专利]一种无压烧结合成超薄二硒化铌纳米片的方法无效
| 申请号： | 201310634884.1 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103613080A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 唐国钢;李长生;朱春喻;杨琥 | 申请（专利权）人： | 镇江市高等专科学校 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212003 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无压烧结合成超薄二硒化铌纳米片的方法，其特征在于是以高纯度的铌粉和硫粉为原料，通过球磨机研磨活化之后，将混料在模具中压制成圆片；将圆片放入刚玉管中，在保护气氛条件下，600℃～1000℃下高温固相合成法高温烧结1-1.5h，然后粉碎为粉，即获得薄硒化铌纳米片，直径大约为190nm。本发明原料易得、价格低廉，制备工艺简单、参数易控，生产过程安全环保，特别适合于大规模的工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 合成 超薄 二硒化铌 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种无压烧结合成超薄二硒化铌纳米片的方法，其特征在于是以高纯度的铌粉和硫粉为原料，通过球磨机研磨活化之后，将混料在模具中压制成圆片；将圆片放入刚玉管中，在保护气氛条件下，600℃～1000℃下高温固相合成法高温烧结1‑1.5h，然后粉碎为粉末，即获得薄硒化铌纳米片。
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