[发明专利]一种基于共振隧穿机制的双缝隙天线在审
| 申请号： | 201310631873.8 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103594821A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李建雄;李运祥;袁文东;陈晓宇;刘崇;宋山林 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01Q13/10 | 分类号： | H01Q13/10;H01Q5/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于共振隧穿机制的双缝隙天线，属于天线领域。本发明包括双缝隙天线，共振隧穿二极管(RTD)；共振隧穿二极管作为激励器件，用于产生太赫兹(THz)波；双缝隙天线作为电磁波发射器件，用于把共振隧穿二极管产生的太赫兹波发射出去。所述RTD的上电极通过热沉与双缝隙天线的左电极相连；所述RTD的下电极与双缝隙天线的右电极相连。本发明可以通过改变RTD在缝隙1的位置来发射不同频段的THz波，同时提高了天线的辐射效率，在超高速数据链路传输、无线通信和军事国防等领域具有重要应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 共振 机制 缝隙 天线 | ||
【主权项】：
一种基于共振隧穿机制的双缝隙天线，该系统包括：双缝隙天线、共振隧穿二极管(RTD)，其特征是：所述RTD的上电极通过热沉与双缝隙天线的左电极相连；所述RTD的下电极与双缝隙天线的右电极相连；左右电极之间插入二氧化硅，防止二者相互接触，同时在缝隙1和缝隙2末端形成MIM(金属‑绝缘介质‑金属)反射器；缝隙1和缝隙2的宽度不同，同时由于两个MIM反射器的作用，这样高频电磁波在缝隙1和缝隙2之间形成驻波；通过调节RTD在缝隙1的位置，可以实现RTD与双缝隙天线结合后满足发射不同频段太赫兹波的要求。
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