[发明专利]一种掩膜版在审
申请号: | 201310631833.3 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103645601A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 闵金华;戴韫青;王剑 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜版,应用于新产品的研发工艺中,该掩膜版上具有若干掩膜单元,每个掩膜单元上均设置有若干个均匀排列的掩膜图形,任意两个掩膜单元的掩模图形尺寸或掩膜图形间距不相同。采用本发明的掩膜版,曝光时可通过截取不同的掩膜单元并拼接在一个曝光区上,然后一起曝在硅片上,从而硅片上即包括刻蚀需要的图形尺寸,其图形的透过率也可与最终的掩膜版达到一致,可使研发出来的新的刻蚀工艺能够在新产品上直接进行使用,从而提高了研发的效率,并较大的减少了研发的周期,进而节约了研发的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 | ||
【主权项】:
一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版上具有若干掩膜单元,每个掩膜单元上均设置有若干个均匀排列的掩膜图形,且任意两个掩膜单元的掩模图形尺寸或掩膜图形间距不相同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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