[发明专利]一种使用激光退火工艺激活离子的方法在审
| 申请号： | 201310630358.8 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681268A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 宋辉;孙昌;王艳生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/322;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明克服了现有技术只通过尖峰退火工艺来激活掺杂元素时产生的离子扩散，提出了一种使用激光退火工艺激活离子的方法，通过在尖峰退火和消除氮化硅层之后使用激光退火工艺，在显著提高激活离子的同时，减少离子的扩散效应，优化器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 激光 退火 工艺 激活 离子 方法 | ||
【主权项】：
一种使用激光退火工艺激活离子的方法，应用于晶体管的制备工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一具有源/漏区的半导体衬底，且该半导体衬底及形成于其上的NMOS晶体管、PMOS晶体管上覆盖有一氮化硅层；对所述源/漏区进行尖峰退火工艺后，继续对所述源/漏区进行激光退火工艺。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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