[发明专利]一种提升变压器转换效率的电路在审
申请号: | 201310629948.9 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN104682717A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 沈建荣 | 申请(专利权)人: | 西安国龙竹业科技有限公司 |
主分类号: | H02M5/293 | 分类号: | H02M5/293;H02M7/06 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 弋才富 |
地址: | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种提升变压器转换效率的电路,包括N沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、N沟道MOS管Q3和N沟道MOS管Q4,N沟道MOS管Q1的栅极接驱动电压VgsQ1,N沟道MOS管Q2的栅极接驱动电压VgsQ2,N沟道MOS管Q3的栅极接驱动电压VgsQ3,N沟道MOS管Q4的栅极接驱动电压VgsQ4,N沟道MOS管Q1的源极与N沟道MOS管Q4的漏极相接并通过并联的电阻R1和电容C1接变压器T1的初级绕组一端,变压器T1的初级绕组另一端接N沟道MOS管Q2的源极和N沟道MOS管Q3的漏极,N沟道MOS管Q1的漏极和N沟道MOS管Q2的漏极接VCC,N沟道MOS管Q3的源极和N沟道MOS管Q4的源极接地。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 变压器 转换 效率 电路 | ||
【主权项】:
一种提升变压器转换效率的电路,包括N沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、N沟道MOS管Q3和N沟道MOS管Q4,其特征在于,N沟道MOS管Q1的栅极接驱动电压VgsQ1,N沟道MOS管Q2的栅极接驱动电压VgsQ2,N沟道MOS管Q3的栅极接驱动电压VgsQ3,N沟道MOS管Q4的栅极接驱动电压VgsQ4,N沟道MOS管Q1的源极与N沟道MOS管Q4的漏极相接并通过并联的电阻R1和电容C1接变压器T1的初级绕组一端,变压器T1的初级绕组另一端接N沟道MOS管Q2的源极和N沟道MOS管Q3的漏极,N沟道MOS管Q1的漏极和N沟道MOS管Q2的漏极接VCC,N沟道MOS管Q3的源极和N沟道MOS管Q4的源极接地。
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