[发明专利]一种提升变压器转换效率的电路在审

专利信息
申请号: 201310629948.9 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN104682717A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 沈建荣 申请(专利权)人: 西安国龙竹业科技有限公司
主分类号: H02M5/293 分类号: H02M5/293;H02M7/06
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 弋才富
地址: 710075 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种提升变压器转换效率的电路,包括N沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、N沟道MOS管Q3和N沟道MOS管Q4,N沟道MOS管Q1的栅极接驱动电压VgsQ1,N沟道MOS管Q2的栅极接驱动电压VgsQ2,N沟道MOS管Q3的栅极接驱动电压VgsQ3,N沟道MOS管Q4的栅极接驱动电压VgsQ4,N沟道MOS管Q1的源极与N沟道MOS管Q4的漏极相接并通过并联的电阻R1和电容C1接变压器T1的初级绕组一端,变压器T1的初级绕组另一端接N沟道MOS管Q2的源极和N沟道MOS管Q3的漏极,N沟道MOS管Q1的漏极和N沟道MOS管Q2的漏极接VCC,N沟道MOS管Q3的源极和N沟道MOS管Q4的源极接地。
搜索关键词: 一种 提升 变压器 转换 效率 电路
【主权项】:
一种提升变压器转换效率的电路,包括N沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、N沟道MOS管Q3和N沟道MOS管Q4,其特征在于,N沟道MOS管Q1的栅极接驱动电压VgsQ1,N沟道MOS管Q2的栅极接驱动电压VgsQ2,N沟道MOS管Q3的栅极接驱动电压VgsQ3,N沟道MOS管Q4的栅极接驱动电压VgsQ4,N沟道MOS管Q1的源极与N沟道MOS管Q4的漏极相接并通过并联的电阻R1和电容C1接变压器T1的初级绕组一端,变压器T1的初级绕组另一端接N沟道MOS管Q2的源极和N沟道MOS管Q3的漏极,N沟道MOS管Q1的漏极和N沟道MOS管Q2的漏极接VCC,N沟道MOS管Q3的源极和N沟道MOS管Q4的源极接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安国龙竹业科技有限公司;,未经西安国龙竹业科技有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310629948.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top