[发明专利]用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属-绝缘层-半导体背接触界面结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属-绝缘层-半导体背接触界面结构及其制备方法。本界面结构是在有机卤化铅薄膜上利用原子层沉积等手段沉积一层厚度可控的均匀氧化物绝缘层，用于修饰和调控薄膜太阳能电池背接触，达到提高太阳能电池性能的效果。本发明突破了钙钛矿型有机卤化铅薄膜电池的传统背接触结构，在无需高掺杂的情况下实现了良好的背接触，并提高了太阳能电池光电转换效率。本发明的电池界面结构还可用在其它对于材料和界面有苛刻要求的电子器件中。

主权项

一种用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属‑绝缘层‑半导体背接触界面结构，包括：有机卤化铅半导体；绝缘层，沉积在所述有机卤化铅半导体上；金电极，形成在所述绝缘层上。