[发明专利]一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法有效
申请号: | 201310617875.1 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN103606573A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 黄富强;秦明升;刘战强;朱小龙;李爱民;张雷;王耀明;杨重寅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法,所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1-xQxC2,其中B=Ga或In,Q=Ge或Sn,C=S或Se,0 | ||
搜索关键词: | 一种 黄铜矿 结构 中间 吸收 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种黄铜矿结构的中间带吸收材料,其特征在于,所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1‑xQxC2,其中B=Ga或In,Q= Ge或Sn,C=S或Se,0
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的