[发明专利]MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310612664.9 申请日: 2013-11-27
公开(公告)号: CN103594529A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 夏正月;高艳涛;陈同银;刘仁中;董经兵;张斌;邢国强 申请(专利权)人: 奥特斯维能源(太仓)有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 刘燕娇
地址: 215434 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法,本发明的晶硅太阳能电池包括依次叠加的钝化膜、磷扩散层、P型硅基体、氧化铝薄膜、叠层保护膜和铝印刷层结构,其中穿设有灌孔银电极;本发明的制造方法包括钻孔、制绒、扩散、抛光、薄膜生长、开孔、灌孔、印刷、烧结等步骤。本发明具有低成本和可量产的优点。 
搜索关键词: mwt 钝化 结合 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种MWT与背钝化结合的晶硅太阳能电池,其特征在于包括:依次叠加的钝化膜、磷扩散层、P型硅基体、氧化铝薄膜、叠层保护膜和铝印刷层结构,上述结构上具有贯通孔,孔内穿装有灌孔银电极,孔壁与灌孔银电极之间覆盖有介质薄膜,所述灌孔银电极的顶部覆盖有正面银电极,所述铝印刷层上具有间隔的凸起,所述凸起穿过叠层保护膜和氧化铝薄膜并与P型硅基体形成局域铝背场接触。
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