[发明专利]一种高效薄膜光伏电池有效
申请号: | 201310610570.8 | 申请日: | 2013-11-26 |
公开(公告)号: | CN103646973B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 邵国胜;胡俊华;邓泉荣 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/075 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司41119 | 代理人: | 牛爱周 |
地址: | 450001 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效薄膜光伏电池,属于光伏电池技术领域。该高效薄膜光伏电池将环境友好、低成本、富资源的硅化镁(Mg2Si)材料作为吸光层(i)引入传统pn型硅基光伏电池中,形成能带结构为宽(p)/窄(i)/宽(n)型的光伏电池,大大提高光吸收效率和光电转换性能。Mg2Si是一种具有面心立方结构的半导体,其主要原材料是硅和金属镁,它们都是地球上储量最高的元素之一,无毒、无污染,因此是低成本、富资源的环境友好材料。硅化镁和硅一样具有间接跃迁的带隙特征的半导体,但是它的禁带宽度小于硅(0.7eV),光吸收系数是硅的三个数量级以上,因此材料厚度可以降低到微米级以下。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 薄膜 电池 | ||
【主权项】:
一种高效薄膜光伏电池,包括由p层、i层和n层构成的p‑i‑n结层,其特征在于:所述的i层为硅化镁光吸收层,i层的厚度为1000~3000nm,载流子浓度为1014~1017cm‑3;所述的n层、p层分别为重掺杂晶态硅或非晶态硅光吸收层,n层、p层的厚度分别为0.05~0.5微米,载流子浓度为1018~1019cm‑3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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