[发明专利]一种新型电话线防盗用电路无效
| 申请号： | 201310599352.9 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104660830A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 巨杰 | 申请（专利权）人： | 西安思创达通讯科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H04M3/22 | 分类号： | H04M3/22;H04M1/667 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司 61221 | 代理人： | 李东京 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种新型电话线防盗用电路，由第一三极管（VT1）、第二三极管（VT2）、功率场效应管（VMOS）组成；所述第一三极管（VT1）的集电极与第一电阻（R1）连接，其发射极与第一二极管（VD1）连接；所述第二电阻（R2）与第三电阻（R3）串联，其中间点与第二三极管（VT2）的基极连接；所述功率场效应管（VMOS）的栅极与第二三极管（VT2）的集电极连接，其漏极与嗡鸣器（BL）连接；第二二极管（VD2）的正极与稳压管（VD3）的负极连接。当外线路被盗用时，线路电压会变成低压直流电，通过该电路系统，使拨号信号在此旁路无法发出，由此可以防止线路被盗用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 电话线 盗用 电路 | ||
【主权项】：
一种新型电话线防盗用电路，其特征在于：由第一三极管（VT1）、第二三极管（VT2）、功率场效应管（VMOS）组成；所述第一三极管（VT1）的集电极与第一电阻（R1）连接，其发射极与第一二极管（VD1）连接；所述第二电阻（R2）与第三电阻（R3）串联，其中间点与第二三极管（VT2）的基极连接；所述功率场效应管（VMOS）的栅极与第二三极管（VT2）的集电极连接，其漏极与嗡鸣器（BL）连接；第二二极管（VD2）的正极与稳压管（VD3）的负极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安思创达通讯科技有限责任公司;，未经西安思创达通讯科技有限责任公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310599352.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分离式传真机
- 下一篇：设置系统语言的方法、装置及移动终端
