[发明专利]一种高吸收结构的太赫兹室温探测器及制备方法有效
申请号: | 201310599246.0 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103606585A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 王军;丁杰;郭晓珮;吴志明;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰;杨保刚 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种高吸收结构的太赫兹室温探测器及制备方法,用于太赫兹波段的探测。所述探测器的顶层是亚波长结构的金属图形,作为一个电子谐振器,用于吸收特定频率的太赫兹波;第二层是复合薄膜微桥桥面和空腔作为介质层;底层是一个厚的金属层平面,它的主要作用是减少透射。其中,最上层的金属图形为方形十字架结构的交叉谐振器;这种结构由于强的共振有一个明显的吸收峰,并且,由于这种结构的旋转对称性,共振对于入射的太赫兹波的偏振是不敏感的。本发明的高吸收结构的太赫兹室温探测器具有高吸收效率和灵敏度特性,同时具有易集成、阵列化、室温工作、实时探测、尺寸小等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 吸收 结构 赫兹 室温 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高吸收结构的太赫兹室温探测器,其特征在于:包括依次设置的底层、中间层、顶层,所述底层为金属底平面,中间层是复合薄膜微桥和空腔,顶层为亚波长结构的金属图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的