[发明专利]TEM样品再制备的方法有效
| 申请号： | 201310597931.X | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103645083A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 史燕萍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TEM样品再制备的方法，所述方法包括：将一表面设置有若干TEM样品的第一金属网底部腾空架置于一样品座上；于所述TEM样品中找到需要进行再制样的特殊样品；将所述特殊样品转移至一第二金属网上；对所述特殊样品进行减薄，形成精加工样品；对所述精加工样品进行TEM观测。通过本发明的方法能够将需要进一步减薄的特殊样品从若干个置样品中筛选出来，并进行进一步的减薄，而对于不需要进行进一步减薄的特殊样品则直接进行TEM观测，这样既保证了制样过程的快速，同时还提高了制样的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品再制备的方法，其特征在于，所述方法包括：将一表面设置有若干TEM样品的第一金属网底部腾空架置于一样品座上；于所述TEM样品中找到需要进行再制样的特殊样品；将所述特殊样品转移至一第二金属网上；对所述特殊样品进行减薄，形成精加工样品；对所述精加工样品进行TEM观测。
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