[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 201310597731.4 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103872098A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 金泰完 | 申请（专利权）人： | 开益禧株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种功率半导体器件，通过在二极管区中形成从终端区向有源单元区增大的杂质浓度梯度来使反相电流分布至有源单元区，所述功率半导体器件能够防止电场集中在二极管区上并且能够改善击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，具有有源单元区、形成在所述有源单元区外部的二极管区、以及形成在所述二极管区外部的终端区，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的半导体层和多个第二导电类型的柱体，所述第一导电类型的半导体层和多个所述第二导电类型的柱体形成在所述有源单元区、所述二极管区以及所述终端区中，多个所述第二导电类型的柱体彼此间隔开，在所述第一导电类型的半导体上具有预定的深度；第二导电类型的第一阱区，所述第二导电类型的第一阱区形成在所述二极管区中，在所述第一导电类型的半导体层和多个所述第二导电类型的柱体上具有预定的深度；第二导电类型的第二阱区，所述第二导电类型的第二阱区形成在与所述有源单元区相邻之侧，在所述第二导电类型的第一阱区上具有预定的深度；以及第二导电类型的第三阱区，所述第二导电类型的第三阱区被形成为在所述二极管区中的所述第二导电类型的柱体的位置上具有预定的深度，所述位置对应于与所述终端区相邻的所述第二导电类型的柱体，其中，所述第二导电类型的第一阱区的杂质浓度低于所述第二导电类型的第二阱区且高于所述第二导电类型的第三阱区的杂质浓度。
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