[发明专利]多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法

摘要

本发明公开了一种多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法。本发明包括在具有(100)取向的GaAs衬底上生长一层GaSb量子点材料，然后再生长一层GaAs盖帽层将GaSb量子点层钝化保护起来,重复上述周期结构三次以上，以形成多层嵌埋结构的GaSb量子点材料。本发明的优点是：其一采用的液相外延技术相比其他生长技术具有成本低廉，操作简便的优势；其二多层量子点结构相比单层量子点结构，其量子点PL发光性能大大改善，半峰宽减小，发光曲线光滑。

主权项

一种多层结构的GaSb量子点材料的液相外延生长方法，其特征在于包括以下步骤：1)在（100）取向的GaAs衬底之上，先生长一层GaAs缓冲层，然后再生长多层嵌埋结构的GaSb量子点材料；2)单层周期结构为在GaSb量子点层上加GaAs盖帽层，重复生长该周期3次以上以形成多层结构；3)GaAs缓冲层的生长温度需与GaSb量子点层的生长温度一致；GaAs盖帽层的生长温度需比GaSb量子点层的生长温度低0‑30℃，从而确保GaSb量子点层的稳定固化，以防溶解。