[发明专利]电容层析成像传感器有效
| 申请号： | 201310585844.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104655692A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 叶佳敏;王海刚;邱桂芝 | 申请（专利权）人： | 中国科学院工程热物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电容层析成像传感器。该电容层析成像传感器增加了传感器外框，测量电极布置在传感器外框内壁，避免与被测流体的直接接触；屏蔽电极组布置在传感器外框外侧面，实现了与测量电极的电气绝缘，从而使得测量电极与屏蔽电极组的安装更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 层析 成像 传感器 | ||
【主权项】：
一种电容层析成像传感器，其特征在于，包括：传感器内框(1)，呈筒状结构，其横截面为与被测管道的横截面形状与尺寸一致的多边形；传感器外框(2)，包括若干个分别固定于所述传感器内框(1)各个外侧面的绝缘平板；屏蔽电极组，包括若干个固定于所述传感器外框(2)相应平板的外侧面的金属材质的平板状屏蔽电极(4)；以及测量电极组，包括若干个固定于所述传感器外框(2)相应平板的内侧面的金属材质的平板状测量电极(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院工程热物理研究所;，未经中国科学院工程热物理研究所;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310585844.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
