[发明专利]单分散介孔氧化硅纳米颗粒及其合成方法有效
| 申请号： | 201310585391.3 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103601201A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘献斌;孙晓君;孙艳;唐诗洋;李培培;王珊珊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 单分散介孔氧化硅纳米颗粒及其合成方法。本发明涉及无机材料领域，尤其涉及单分散介孔氧化硅纳米颗粒及其合成方法。本发明是为解决现有制备介孔氧化硅纳米颗粒的方法产率低以及由于产率低和溶剂量大而导致的分离难且单分散性差的问题，产品：由硅源、模板剂、铵类化合物、膨胀剂、表面修饰剂和水制备而成。方法：在水相中加入模板剂和铵类化合物得到澄清溶液，然后加入膨胀剂、表面修饰剂和硅源，回流条件下晶化，然后离心分离干燥，最后焙烧或酸性乙醇溶液萃取，得到介孔氧化硅纳米颗粒。本发明的合成方法产率高，其产率是稀溶液法的10倍左右，分离容易，且合成的介孔氧化硅纳米颗粒具有完美的球状形貌、良好的单分散性和可控的粒径分布。 | ||
| 搜索关键词： | 分散 氧化 纳米 颗粒 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
单分散介孔氧化硅纳米颗粒，其特征在于单分散介孔氧化硅纳米颗粒由硅源、模板剂、铵类化合物、膨胀剂、表面修饰剂和水制备而成；所述的硅源与模板剂的摩尔比为1：（0.01～0.25）；所述的硅源与铵类化合物的摩尔比为1：（10～100）；所述的硅源与水的摩尔比为1：（50～500）；所述的硅源与膨胀剂的摩尔比为1：（0～0.1）；所述的硅源与表面修饰剂的摩尔比为1：（0～0.5）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨理工大学，未经哈尔滨理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310585391.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
