[发明专利]上拉电阻电路在审
| 申请号： | 201310582339.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104660242A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 朱恺;陈捷;翁文君;莫善岳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种上拉电阻电路，包括电源端、输出端、第一PMOS管以及传输单元；所述第一PMOS管的源极连接所述电源端，所述第一PMOS管的漏极连接所述输出端，所述第一PMOS管的衬底适于输入偏置电压，所述偏置电压的电压值与所述电源端的电压和所述输出端的电压中较大电压的电压值相等；所述传输单元适于在所述电源端的电压大于或等于所述输出端的电压时将上拉控制信号传输至所述第一PMOS管的栅极，在所述电源端的电压小于所述输出端的电压时将所述输出端的电压传输至所述第一PMOS管的栅极。本发明技术方案提供的上拉电阻电路工作于高压容限模式时，无倒灌电流产生，提高了整个集成电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 电路 | ||
【主权项】：
一种上拉电阻电路，其特征在于，包括电源端、输出端、第一PMOS管以及传输单元；所述第一PMOS管的源极连接所述电源端，所述第一PMOS管的漏极连接所述输出端，所述第一PMOS管的衬底适于输入偏置电压，所述偏置电压的电压值与所述电源端的电压和所述输出端的电压中较大电压的电压值相等；所述传输单元适于在所述电源端的电压大于或等于所述输出端的电压时将上拉控制信号传输至所述第一PMOS管的栅极，在所述电源端的电压小于所述输出端的电压时将所述输出端的电压传输至所述第一PMOS管的栅极。
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