[发明专利]一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201310574815.6 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103558280A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 俞文杰;刘畅;赵清太;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：首先，制备一隧穿场效应晶体管作为转换器；然后采用表面修饰剂对所述隧穿场效应晶体管中的沟道表面进行活化修饰；制备隧穿场效应管的具体步骤包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、埋氧层和底层硅；在所述顶层硅表面形成栅介质层；采用离子注入工艺对所述栅介质层两侧的顶层硅进行离子注入，形成源极和漏极，所述栅介质层下未进行离子注入的顶层硅定义为沟道；在所述底层硅的背面形成背栅。本发明的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 场效应 晶体管 生物 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：步骤一、制备一隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述隧穿场效应晶体管中的沟道表面进行活化修饰。
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