[发明专利]一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：

步骤一、制备一隧穿场效应晶体管作为转换器；

步骤二、采用表面修饰剂对所述隧穿场效应晶体管中的沟道表面进行活化修饰。

2.根据权利要求1所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤一中制备隧穿场效应管的具体步骤包括：

1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、埋氧层和底层硅；

2）在所述顶层硅表面形成栅介质层；

3）采用离子注入工艺对所述栅介质层两侧的顶层硅进行离子注入，形成源极和漏极，所述栅介质层下未进行离子注入的顶层硅定义为沟道；

4）在所述底层硅的背面形成背栅。

3.根据权利要求2所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积工艺在所述沟道表面形成栅介质层。

4.根据权利要求2所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于：所述源极为P型重掺杂半导体，所述漏极为N型重掺杂半导体。

5.根据权利要求2所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于：所述源极为N型重掺杂半导体，所述漏极为P型重掺杂半导体。

6.根据权利要求2所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于：所述埋氧层为SiO₂；所述栅介质层HfO₂或者SiO₂。

7.据权利要求2所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于：所述背栅为金属栅极。

8.根据权利要求1所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤二中采用3-氨丙基三乙氧基硅烷作为表面修饰剂对所述沟道表面进行活化修饰。

9.一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述生物传感器至少包括：

转换器，为隧穿场效应晶体管；

表面修饰剂，覆盖于所述隧穿场效应中的沟道表面。

10.根据权利要求9所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器，其特征在于：所述隧穿场效应晶体管至少包括：

SOI衬底，包括顶层硅、埋氧层和底层硅；

源极和漏极，离子注入于所述顶层硅两侧；

沟道，位于所述源极和漏极之间；

栅介质层，形成于所述沟道表面；

背栅，形成于所述底层硅的背面。

11.根据权利要求9所述的基于隧穿场效应晶体管的生物传感器，其特征在于：所述表面修饰剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷。