[发明专利]一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310573864.8 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103558254A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 赵清太;俞文杰;刘畅;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/414;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：步骤一、制备垂直结构的隧穿场效应晶体管作为转换器，所述隧穿场效应晶体管中的沟道悬空，所述沟道与源极、漏极形成垂直结构；步骤二、采用表面修饰剂对所述沟道表面进行表面活化修饰。本发明提供的生物传感器由于作为转换器的隧穿场效应晶体管中的源极、沟道和漏极采用了垂直结构，且沟道为悬空结构，使器件的亚阈斜率更加陡峭，因此，器件对沟道表面电荷的变化感应也更加的灵敏，从而提高生物传感器的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 垂直 结构 场效应 晶体管 生物 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器的制备方法，其特征在于，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤： 步骤一、制备垂直结构的隧穿场效应晶体管作为转换器，所述隧穿场效应晶体管中的沟道悬空，所述沟道与源极、漏极形成垂直结构； 步骤二、采用表面修饰剂对所述沟道表面进行表面活化修饰。
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