[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310572230.0 | 申请日： | 2003-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103646627B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 木村肇;棚田好文 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/3225 | 分类号： | G09G3/3225 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 徐予红,汤春龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 阻止发光器件中的不规则显示以增加发光器件的图像质量，发光器件中的不规则显示是由于每一像素的供给电流到发光元件的TFT阈值离散形成的。在电容器装置(108)中存储从复位信号线(110)的电位加上或减去TFT(105)的阈值电压后得到的电位。其中相应的阈值电压加入到图像信号的电压施加到TFT(106)的栅电极。像素内的TFT邻近地排列，且不易形成TFT特性离散。即使每一像素中TFT(106)的阈值不同，TFT(105)的阈值被抵销，并且可以提供给EL元件(109)预定的漏极电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种包括像素的半导体器件，该像素包含：源信号线；第一到第三栅极信号线；复位电源线；电流源线；第一到第五晶体管；第一和第二电容器；以及发光元件，其中:所述第一晶体管的栅电极连接到所述第一栅极信号线；所述第一晶体管的第一电极连接到所述源信号线；所述第一晶体管的第二电极连接到所述第一电容器的第一电极和所述第二电容器的第一电极；所述第一电容器的第二电极连接到所述第二晶体管的第一电极、所述第二晶体管的栅电极、所述第三晶体管的栅电极以及所述第四晶体管的第二电极；所述第二晶体管的第二电极连接到所述复位电源线；所述第三晶体管的第一电极连接到所述电流源线；所述第三晶体管的第二电极连接到所述发光元件的第一电极、所述第二电容器的第二电极以及所述第五晶体管的第一电极；所述第四晶体管的栅电极连接到所述第二栅极信号线；所述第四晶体管的第一电极连接到所述源信号线或所述第一晶体管的所述第二电极；所述第五晶体管的栅电极连接到所述第三栅极信号线；以及所述第五晶体管的第二电极连接到电源，该电源的电位等于或低于所述发光元件的第二电极的电位。
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