[发明专利]一种大直径、超长度高纯硅晶体切割方法及设备有效
| 申请号： | 201310558805.3 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103568141A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王全文;杨蛟 | 申请（专利权）人： | 成都青洋电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/04 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 610045 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大直径、超长度高纯硅晶体切割方法及设备，工艺为先对高纯硅晶体通过吸振材料粘接后过度装夹；再通过数控自动编程软件系统对切割高纯硅晶体图形进行编排处理；然后通过电镀金刚石砂线主切削运动为垂直往复运动，辅助切削运动为自转运动对高纯硅晶体切削；设备包括电镀金刚石砂线、工作平台、摇臂、曲柄摇杆机构和石墨粘块；采用电镀金刚石砂线作为刀具，大大提高高纯硅晶体加工范围，尤其针对大直径、超长度的高纯硅晶体；使用电镀金刚石砂线参与切削面积小，材料利用率有效提高；通过控制切削速度，降低了加工表面的粗糙度，提高效率及成品率；由于采用了吸振材料粘接后过度装夹，改善了高纯硅晶体受力方式，提高产品成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 长度 高纯 晶体 切割 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种大直径、超长度高纯硅晶体的切割工艺，其特征在于，工艺步骤为：a.首先对高纯硅晶体通过吸振材料粘接后过度装夹；b.再通过数控自动编程软件系统对切割高纯硅晶体图形进行编排处理；c.然后通过电镀金刚石砂线对高纯硅晶体切削，其主切削运动为电镀金刚石砂线垂直往复运动，辅助切削运动为电镀金刚石砂线自转运动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都青洋电子材料有限公司，未经成都青洋电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310558805.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种沼气制备生物天然气工艺
- 下一篇：一种黄橙-橙红色荧光材料及其制备方法
