[发明专利]SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法在审
| 申请号： | 201310552338.3 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104637528A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法。所述SRAM存储单元阵列包括：多个沿行方向排列的字线对，所述字线对包括写字线和读字线；沿列方向排列的位线对，所述位线对包括第一位线和第二位线；位于所述字线对和所述位线对之间的多个存储单元，每个所述存储单元分别连接至对应的所述字线对和所述位线对，所述存储单元包括读出端；以及读单元，所述读单元包括一个读晶体管和一条读位线，所述读位线通过所述读晶体管连接至多个所述存储单元的所述读出端。根据本发明的SRAM存储单元阵列减少了晶体管数量，提高了稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 阵列 存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储单元阵列，其特征在于，所述SRAM存储单元阵列包括：多个沿行方向排列的字线对，所述字线对包括写字线和读字线；沿列方向排列的位线对，所述位线对包括第一位线和第二位线；位于所述字线对和所述位线对之间的多个存储单元，每个所述存储单元分别连接至对应的所述字线对和所述位线对，所述存储单元包括读出端；以及读单元，所述读单元包括一个读晶体管和一条读位线，所述读位线通过所述读晶体管连接至多个所述存储单元的所述读出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310552338.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：Ti3SiC2基陶瓷材料作为耐熔融氟盐腐蚀材料的应用
- 下一篇：防腐润滑装置
