[发明专利]CMOS晶体管的形成方法

摘要

一种CMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域，半导体衬底表面具有介质层，NMOS区域表面的第一凹槽，PMOS区域表面的第二凹槽；形成栅介质层及其表面的第一金属层；形成第二金属层，位于第二金属层表面的第三金属层；在第二凹槽内填充覆盖层；以覆盖层为掩膜，去除NMOS区域上的第三金属层、第二金属层以及第一凹槽侧壁表面的部分栅介质层和部分第一金属层，去除PMOS区域上的部分第三金属层和部分第二金属层以及所述第二凹槽部分第一金属层，暴露出第一凹槽的侧壁表面以及部分第二凹槽的侧壁表面；去除覆盖层；形成第一栅极和第二栅极。上述方法可以提高形成的CMOS晶体管的性能。

主权项

一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述半导体衬底表面具有介质层，位于所述NMOS区域表面的介质层内的第一凹槽，位于所述PMOS区域表面的介质层内的第二凹槽；在所述第一凹槽、第二凹槽内壁表面以及介质层表面形成栅介质层和位于所述栅介质层表面的第一金属层；在所述第一凹槽和第二凹槽底部的第一金属层表面以及介质层表面的第一金属层表面形成第二金属层，以及位于所述第二金属层表面的第三金属层；在所述第二凹槽内填充覆盖层，所述覆盖层的表面低于所述介质层的表面；以所述覆盖层为掩膜，去除位于NMOS区域上的第三金属层、第二金属层以及位于所述第一凹槽侧壁表面的部分栅介质层和所述部分栅介质层表面的部分第一金属层，去除位于PMOS区域上的介质层上的第三金属层、第二金属层以及所述覆盖层上方的第二凹槽侧壁表面的栅介质层和第一金属层，暴露出第一凹槽的侧壁表面以及未被覆盖层填充的部分第二凹槽的侧壁表面；去除所述覆盖层；形成填充满所述第一凹槽的第一栅极和填充满所述第二凹槽的第二栅极。