[发明专利]一种制备铟/碲多孔纳米线阵列的方法

摘要

种制备铟/碲多孔纳米线阵列的方法，属于多孔材料、纳米材料制备技术领域。其特征是该方法采用二次阳极氧化法，自制多孔阳极氧化铝模板（PAA）；配制由高纯的In的盐或化合物、Te的盐或化合物、pH调节剂、添加剂和去离子水组成的电沉积溶液；采用脉冲电化学沉积技术，在一定的沉积参数和条件下，将喷金的PAA模板作为阳极，石墨作为阴极，使用含有In和Te元素的电沉积溶液，在氧化铝模板孔道中进行In和Te元素的电化学沉积，最终得到的一维有序In/Te多孔纳米线阵列。本发明的效果和益处是制备简单，成本低廉，组分和结构易调控，在能源、催化、吸附、热电、光学和电学等方面存在巨大的潜在应用前景，特别是在传感器应用上具有重要的价值。

主权项

一种制备铟/碲多孔纳米线阵列的方法，是利用多孔氧化铝模板（PAA）辅助，使用脉冲电化学沉积方法制备，其特征包括以下步骤：（1）制备多孔氧化铝模板：将高纯铝箔剪成直径为22mm的圆片，采用二次阳极氧化法，在含有0.3M的草酸或硫酸或磷酸的电解液中阳极电化学腐蚀制备出多孔阳极氧化铝模板（PAA），并在其背面溅射蒸镀100nm～200nm的金膜作为电极；（2）配制含有In和Te元素的电沉积溶液，该溶液是由In的盐或化合物、Te的盐或化合物，pH调节剂、添加剂和去离子水组成；（3）使用脉冲电化学沉积方法，在沉积参数和条件下，以喷金的PAA模板作为阴极，石墨作为阳极，使用上述的含有In和Te元素的电沉积溶液，在氧化铝模板孔道中进行In和Te元素的电化学沉积；（4）电沉积结束后，将样品取出，放置去离子水中清洗，刻蚀掉氧化铝模板后，得到In/Te多孔纳米线阵列。