[发明专利]一种SiO2掺杂全氟磺酸质子交换膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310537841.1 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103601906B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 章俊良;张士林;王树华;蒋峰景 | 申请（专利权）人： | 巨化集团技术中心 |
| 主分类号： | C08J5/22 | 分类号： | C08J5/22;C08L27/18;C08K3/36;H01M8/1069;H01M8/1051 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)33226 | 代理人： | 程晓明 |
| 地址： | 324004 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SiO2掺杂全氟磺酸质子交换膜的制备方法，包括以下步骤（1）将二氧化硅前驱体、水、酸按摩尔比10.2～150.001～0.1在0～50℃下反应30～60分钟，得到SiO2溶胶；（2）将全氟磺酸质子交换膜放入上述SiO2溶胶中浸泡2～14min，使SiO2溶胶吸附到全氟磺酸质子交换膜中；（3）将吸附SiO2溶胶后的全氟磺酸质子交换膜表面的溶胶除去，在40‑～100℃条件下进行热处理0.5～8h，制得SiO2掺杂全氟磺酸质子交换膜。本发明具有工艺简单、生产效率高、安全环保、产品性能好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sio sub 掺杂 全氟磺酸 质子 交换 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiO2掺杂全氟磺酸质子交换膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将正硅酸甲酯、水、盐酸按摩尔比1：2:2×10‑3在8℃下搅拌30分钟，得到SiO2溶胶；(2)将全氟磺酸质子交换膜放入上述SiO2溶胶中浸泡5min，使SiO2溶胶吸附到全氟磺酸质子交换膜中，所述全氟磺酸质子交换膜为Dupont公司的膜；(3)将吸附SiO2溶胶后的全氟磺酸质子交换膜从溶胶中取出，将表面的溶胶除去，在50℃条件下进行热处理1h，制得SiO2掺杂全氟磺酸质子交换膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巨化集团技术中心，未经巨化集团技术中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310537841.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
