[发明专利]一种光电集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 201310534726.9 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103579109A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张有润;董梁;刘影;张飞翔;孙成春;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/762 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种光电集成电路的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：对硅片进行处理，使硅片的一部分具备氧化层；将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离；在硅片上无氧化层的部分制造光电器件，在氧化层上制造电子器件，所述光电器件为采用纵向结构，电子器件采用SOI工艺。本发明的有益效果为使得光电二极管和集成电路模块集成于同一块芯片上，有效地减少了封装难度和成本，降低了寄生效应，提高了可靠性。本发明尤其适用于光电集成电路的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电集成电路的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a.对硅片进行处理，使硅片的一部分具备氧化层；b.将硅片有氧化层的部分和无氧化层的部分进行隔离；c.在硅片上无氧化层的部分制造光电器件，在氧化层上制造电子器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
