[发明专利]LDMOS器件在审
| 申请号： | 201310534182.6 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104600113A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈雄斌;石晶;杨新杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，对于传统为改善器件耐压和线性区的电阻性能而采用的场板技术，本发明利用金属钨填充的场端来作为场板，场端的深度可以根据器件的需要进行优化调整，即使场端与N型漂移区之间的层间膜厚度达到合适的值，最大化地发挥场板的对漏端电场的调制效果。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，在衬底中具有体区，以及体区一侧具有漏端N型漂移区和P型辅助耗尽区，所述P型辅助耗尽区位于N型漂移区正下方；在N型漂移区中具有所述LDMOS器件的漏区，N型漂移区远离体区的一侧衬底中具有浅槽隔离结构；所述体区中还具有体区引出区及所述LDMOS器件的源区，并且体区引出区与源区之间间隔有浅槽隔离结构；衬底表面具有栅氧及所述LDMOS器件的多晶硅栅极；衬底表面具有层间膜，多个接触孔穿透层间膜分别将体区引出区、源区、多晶硅栅极以及漏区引出；其特征在于：所述N型漂移区上方的层间膜具有向下刻蚀形成的沟槽或孔洞并填充金属而形成的场板，该场板与所述LDMOS器件的多晶硅栅极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310534182.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
