[发明专利]一种高取向排列的氮化碳纳米棒阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 201310528610.4 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103539090A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张剑;吴思;史立慧;汤顺熙;崔啟良 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种高取向排列的氮化碳纳米棒阵列及其制备方法，属于化工新材料制备的技术领域。高取向排列的氮化碳纳米棒阵列由C，N两种元素组成，氮化碳纳米棒状结构构成同一取向阵列。制备是以三聚氰胺与三聚氰氯为原料，混合研磨压片；在密封的反应釜中190℃反应1小时，再加热到520℃煅烧6小时，制得高取向排列的氮化碳纳米棒阵列。本发明首次利用常见的三聚氰胺与三聚氰氯为原料，合成出纯度高、形貌尺寸均一的高取向排列的氮化碳纳米棒阵列结构；并且方法操作简单可靠、重复性好、反应时间短、耗能少、对环境友好，制备出的氮化碳纳米棒结晶良好、产物产量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 排列 氮化 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高取向排列的氮化碳纳米棒阵列，纳米棒由C，N两种元素组成；其特征在于，氮化碳纳米棒状结构构成同一取向阵列；纳米棒的直径为76～200nm，长度为0.5～5μm。
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