[发明专利]制造机电晶体管的方法有效
| 申请号： | 201310524587.1 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794494A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 曹庆;李正文;刘菲;章贞 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/336;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及制造机电晶体管的方法。提供了使用Janus微/纳米部件的机电晶体管及其制造方法。在一个方面，一种制造机电晶体管的方法包括以下步骤。提供晶片。在所述晶片的表面上形成彼此相对的源极电极和漏极电极，其中在所述源极电极和所述漏极电极之间存在间隙。在所述晶片的所述表面上在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙的相对侧上形成第一栅极电极和第二栅极电极。将至少一个Janus部件设置在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙中，其中所述Janus部件包括具有导电材料的第一部分和具有电绝缘材料的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 机电 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造机电晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶片；在所述晶片的表面上形成彼此相对的源极电极和漏极电极，其中在所述源极电极和所述漏极电极之间存在间隙；在所述晶片的表面上在所述源极电极和所述漏极电极之间的间隙的相对侧上形成第一栅极电极和第二栅极电极；将至少一个Janus部件设置在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙中，其中所述Janus部件包括具有导电材料的第一部分和具有电绝缘材料的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
