[发明专利]一种多嵌段卤化聚合物及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310522018.3 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN104592465B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 徐宏德;包巧云;赫炜;钟林;朱峰;周爱霞 申请(专利权)人: 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
主分类号: C08F297/04 分类号: C08F297/04;C08F8/22;C09J153/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 李小梅,刘金辉
地址: 100728 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种卤化多嵌段共聚物,该嵌段共聚物在卤化前为具有式S1‑B1‑I‑B2‑S2结构的嵌段共聚物,其中S1和S2各自独立地为聚苯乙烯嵌段,B1和B2各自独立地为聚丁二烯嵌段,和I为聚异戊二烯嵌段,其中在卤化嵌段共聚物中,嵌段I所含不饱和碳‑碳双键的0.4‑80%被卤化,并且嵌段B1和B2所含不饱和碳‑碳双键的卤化程度与嵌段I所含不饱和碳‑碳双键的卤化程度之比不超过0.01。本发明还涉及制备本发明卤化多嵌段共聚物的方法。本发明卤化多嵌段共聚物不仅可有效地改进其与其它极性聚合物的相容性,而且其玻璃化温度的升高不太明显,以致于影响应用于压敏粘合剂时的粘合性能,尤其是压敏胶的剥离强度。
搜索关键词: 一种 多嵌段 卤化 聚合物 及其 制备 方法
【主权项】:
一种卤化的多嵌段共聚物,该嵌段共聚物在卤化前为具有式S1‑B1‑I‑B2‑S2结构的嵌段共聚物,其中S1和S2各自独立地为聚苯乙烯嵌段,B1和B2各自独立地为聚丁二烯嵌段,和I为聚异戊二烯嵌段,其特征在于,在卤化嵌段共聚物中,嵌段I所含的不饱和碳‑碳双键的0.4‑80%被卤化,并且嵌段B1和B2所含不饱和碳‑碳双键的卤化程度与嵌段I所含不饱和碳‑碳双键的卤化程度之比不超过0.01。
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