[发明专利]低导热多孔氮化硅材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310507025.6 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103553712A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 翟萍;陈达谦;董波;周长灵;王重海;王洪升;李楠 | 申请（专利权）人： | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 255000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于无机复合材料技术领域，具体涉及一种低导热多孔氮化硅材料的制备方法，包括以下步骤：待渗积基体的预处理，渗积用Al2O3-SiO2溶胶的制备，多孔氮化硅基体的真空渗积及胶凝化、老化处理，Al2O3-SiO2凝胶的干燥得到低导热多孔氮化硅材料。本发明改善了多孔氮化硅的导热性能，具有科学合理，易于实施，生产周期短，投资成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 导热 多孔 氮化 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低导热多孔氮化硅材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）待渗积基体的预处理：将待渗积的多孔氮化硅基体进行超声清洗及热处理；（2）渗积用Al2O3‑SiO2溶胶的制备：将铝源、无水乙醇、去离子水混合，室温下搅拌至无色透明胶体，得到胶体A，待用；将硅源、无水乙醇、去离子水、催化剂混合，室温下搅拌使硅源充分水解，得到胶体B，待用；将胶体B加入胶体A中搅拌，制得渗积用溶胶C；（3）多孔氮化硅基体的真空渗积及胶凝化、老化处理：将步骤（1）中处理后的多孔氮化硅基体置于步骤（2）制备的渗积用溶胶C中进行真空渗积，然后进行胶凝化及老化处理；（4）Al2O3‑SiO2凝胶的干燥：将步骤（3）制得的材料进行超临界干燥，得到低导热多孔氮化硅材料。
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