[发明专利]一种（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法

摘要

一种（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，其步骤主要是：A：清洗基片；B：预溅射；C：溅射沉积薄膜：保持溅射功率为5W/cm2，基片温度为320-380℃，并将氩气气压调节为1.0～4.0Pa进行10分钟的溅射；之后将氩气气压降低至0.5Pa，并在基片上施加20～30V的偏压，进行2小时的溅射，即得到具有（220）取向的铜铟镓硒薄膜。该方法用磁控溅射方法制备出（220）取向的CIGS薄膜，以其制备的电池转换效率高。且其制备工艺简单、成本低，制备过程中无毒无污染，适合于工业化生产。

主权项

一种（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：A：清洗基片：将基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中各经过10‑20分钟的超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室；B：预溅射：在磁控溅射靶枪上安装纯度为99.99%的复合铜铟镓硒靶，复合铜铟镓硒靶中各元素的化学计量比为Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2，调整溅射靶枪到基片的距离为4‑8厘米，将溅射室抽真空至气压小于2×10‑4Pa，再通入纯度为99.995%的氩气；调节溅射功率为4‑6W/cm2，基片温度为320‑380℃，待辉光稳定后，对复合铜铟镓硒靶预溅射8‑15分钟，以除去其表面污染物；C：溅射沉积薄膜：保持溅射功率为4‑8W/cm2，基片温度为320‑380℃，并将氩气气压调节为1.0～4.0Pa进行10‑15分钟的溅射；之后将氩气气压降低至0.5Pa，并在基片上施加20～30V的偏压，进行2‑2.5小时的溅射，即得到具有（220）取向的铜铟镓硒薄膜。