[发明专利]电存储材料与数据存储器件

摘要

本发明提供了一种电存储材料与数据存储器件，该电存储材料如式（I）所示，其中，-R为-NO₂、卤原子或-OR₁；所述R₁为烷基。与现有电存储材料相比，式（I）所示的电存储材料为侧链聚合物，侧链为大共轭平面分子，且该电存储材料骨架中含有硝基、卤原子、OR₁、偶氮等吸电子基团，在电场下，侧链的共轭平面分子之间由原来的无序状态向有序状态转变，首先实现OFF-ON1态的转变，随着电场继续增大，注入的电荷将侧链的吸电子基团造成的电荷陷阱填满，实现ON1-ON2态的转变，因此，该电存储材料表现出对应于OFF-ON1-ON2三个导电态的0，1，2三个信号存储状态，从而具有三进制存储态。

主权项

1.一种电存储材料，如式（I）所示：其中，-R为-NO₂、卤原子或-OR₁；所述R₁为烷基。