[发明专利]掩模板及其改善拼接曝光姆拉现象的方法有效
| 申请号： | 201310496423.2 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN104570611A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 曾勉;涂志中 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;G03F1/48 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;孟桂超 |
| 地址： | 230011 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜板，应用于采用拼接曝光方式制作阵列基板，所述阵列基板包括多个图形区域和在相邻的所述图形区域之间的拼接区域；所述掩模板包括：多个完全透射区域和在相邻的所述完全透射区域之间的部分透射区域；其中，所述完全透射区域与所述阵列基板上的图形区域相对应，所述部分透射区域与所述阵列基板上的拼接区域相对应，所述部分透射区域的宽度大于所述拼接区域的宽度。本发明同时还公开了一种改善拼接曝光姆拉现象的方法。采用本发明的技术方案，能够有效地减轻甚至消除拼接曝光姆拉现象，减弱了各拼接区域的显示亮度差异，从而提高了由拼接曝光制作的液晶面板的画面品质。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 及其 改善 拼接 曝光 现象 方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜板，应用于采用拼接曝光方式制作阵列基板，所述阵列基板包括多个图形区域和在相邻的所述图形区域之间的拼接区域；其特征在于，所述掩模板包括：多个完全透射区域和在相邻的所述完全透射区域之间的部分透射区域；其中，所述完全透射区域与所述阵列基板上的图形区域相对应，所述部分透射区域与所述阵列基板上的拼接区域相对应，所述部分透射区域的宽度大于所述拼接区域的宽度。
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