[发明专利]条形阵列碲锌镉探测器的制备方法有效
申请号: | 201310489066.7 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN103560167A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 徐亚东;何亦辉;杨波;王涛;查钢强;介万奇 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学;陕西迪泰克新材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G01T1/24 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法,用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案,然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开,形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象,同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割,实现了对光刻电极的保护,避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4~8个1×8~1×32的像素阵列条形探测器,降低了制备成本。 | ||
搜索关键词: | 条形 阵列 碲锌镉 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一、采用垂直布里奇曼法生长的碲锌镉晶锭,沿着<111>方向定向切割成长宽比在1~2之间的矩形单晶片,晶片厚度在0.5~5mm之间;步骤二、切割好的单晶片经机械抛光和化学抛光后,在单晶片的{111}Cd面采用热蒸镀法或浓度为10~50g/L的AuCl3水溶液的化学方法制备Au电极,并在电极上涂覆光刻胶,以保护Au电极在后续的处理中不被破坏;在单晶片的{111}Te面同时光刻出4~6条1×8~1×32的条形阵列图案,并采用热蒸镀法或浓度为10~50g/L的AuCl3水溶液的化学方法制备Au电极;步骤三、在单晶片光刻电极表面均匀涂覆一层光刻胶以保护条形阵列电极在划片切割时不被切削液冲刷破坏;采用划片机沿着条形阵列电极图案的外围轮廓划开,形成独立的条形阵列碲锌镉探测器;步骤四、将条形阵列碲锌镉探测器放置于体积比为0.5~5%的Br2‑CH3OH溶液内腐蚀5~30分钟,以去除划片时造成的侧面损伤层;步骤五、将腐蚀完成后的条形阵列碲锌镉探测器放置于丙酮中去除条形阵列碲锌镉探测器覆盖的光刻胶,并用去离子水清洗3~5分钟,氮气吹干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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