[发明专利]一种加速闪存存储器擦除操作的方法及系统有效
| 申请号： | 201310471078.7 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104575603B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;洪杰;王林凯 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种加速闪存存储器擦除操作的方法和系统，其中，所述方法包括：对所述闪存存储器的存储块或存储区进行擦除操作；将所述擦除操作结束时的所述存储块或存储区的存储单元的基底电压作为第一基底电压存储在与所述存储块或存储区对应设置的永久性存储器中，其中，所述第一基底电压作为对所述存储块或存储区进行下一次擦除操作的初始基底电压。本发明能够提高对闪存存储器的存储块或存储区的擦除能力，减少擦除时间。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除操作 存储 闪存存储器 基底电压 擦除 永久性存储器 存储单元 初始基 | ||
【主权项】：
1.一种加速闪存存储器擦除操作的方法，其特征在于，所述方法包括：对所述闪存存储器的存储块或存储区进行擦除操作；具体的，对所述闪存存储器的存储块或存储区进行擦除操作时，所述存储块或存储区的存储单元的控制栅极电压为负的字线电压，所述存储单元的基底电压为正的阶梯状上升电压；将所述擦除操作结束时的所述存储块或存储区的存储单元的基底电压作为第一基底电压存储在与所述存储块或存储区对应设置的永久性存储器中，其中，所述第一基底电压作为对所述存储块或存储区进行下一次擦除操作的初始基底电压；其中，所述阶梯状上升电压包括最小基底电压、最大基底电压和位于所述最小基底电压与所述最大基底电压之间等电压差分布的中间基底电压，其中，所述最小基底电压为对所述存储块或存储区进行第一次擦除操作时的初始基底电压，最大基底电压为对所述存储块或存储区进行擦除操作达到最大擦除次数时的基底电压。
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