[发明专利]一种高深宽比沟槽的填充方法有效
| 申请号： | 201310459702.1 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103489821A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高深宽比沟槽的填充方法，包括如下步骤：步骤一，采用HARP工艺淀积第一层薄膜，填充1/5～2/5沟槽；步骤二，采用热退火工艺对第一层薄膜进行处理；步骤三，采用HDP CVD工艺淀积第二层薄膜，填充沟槽的剩余4/5～3/5；所述沟槽深宽比为4～15，深度为3～20um；所述第一层薄膜和第二层薄膜均为二氧化硅薄膜。本发明一种高深宽比沟槽的填充方法，可以达到既保证填充完整又避免薄膜开裂的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 沟槽 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种高深宽比沟槽的填充方法，包括如下步骤：步骤一，采用HARP工艺淀积第一层薄膜，填充1/5～2/5沟槽；步骤二，采用热退火工艺对第一层薄膜进行处理；步骤三，采用HDP CVD工艺淀积第二层薄膜，填充沟槽的剩余4/5～3/5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310459702.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有压缩层的图像传感器
- 下一篇：一种硅片预对准装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
