[发明专利]离子加速器注入装置及使用方法无效

专利信息
申请号: 201310452010.4 申请日: 2013-09-28
公开(公告)号: CN103906339A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 王志军;何源;刘鲁北 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: H05H7/08 分类号: H05H7/08
代理公司: 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 代理人: 张真
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明涉及一种离子加速器注入装置,属于核能技术领域。一种离子加速器注入装置,其主要特点在于包括有用于产生高流强的离子束流ECR离子源和第一螺线管与第二螺线管通过真空管道连接RFQ直线加速器和混合型离子加速装置。RFQ直线加速器和混合型离子加速器通过法兰连接。本发明的优点是在强流离子束流的加速中,由于结构更加紧凑,使得束流品质更加优良;本结构利用混合型DTL将加速功能,横纵向聚焦功能结合在同一个高频结构中,腔体分路阻抗高,高频功耗大大的降低;利用零相位进行加速,加速效率更高,可以有效的降低腔体的长度,提高有效加速梯度;RFQ和混合型DTL之间不需要额外的传输匹配段,可以降低建造成本,缩短装置的长度。本发明主要是用于强流低能离子束流的加速,可用于强流加速器的注入器、工业加速器等应用型加速装置。
搜索关键词: 离子 加速器 注入 装置 使用方法
【主权项】:
一种离子加速器注入装置,其特征在于包括有用于产生高流强的离子束流ECR离子源和第一螺线管与第二螺线管通过真空管道连接RFQ直线加速器和混合型离子加速装置。
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