[发明专利]一种固态量子点微阵列芯片传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310446848.2 申请日: 2013-09-26
公开(公告)号: CN104515755B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 刘宏伟;陈艳 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;B81B7/04;B81C1/00
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种固态量子点微阵列芯片传感器及其制造方法,以较为简单的制作工艺提供荧光信号稳定、灵敏度高的量子点微阵列芯片传感器。固态量子点微阵列芯片传感器包括玻片、带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层和量子点微阵列;量子点微阵列为若干水溶性量子点注入到玻片后孵育预定时间而成,量子点微阵列的排列方式与带有通孔通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层通孔的排列方式相同;带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层不可逆键合在玻片上,并且量子点微阵列的每个量子点阵列点的几何中心与聚二甲基硅氧烷薄膜层的每个通道的几何中心对应对齐。本发明提供的固态量子点芯片传感器具有荧光信号稳定、灵敏度较高,极大地扩大了量子点传感器在生物医学中的应用。
搜索关键词: 一种 固态 量子 阵列 芯片 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种固态量子点微阵列芯片传感器,其特征在于,所述固态量子点微阵列芯片传感器包括玻片、带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层和量子点微阵列;所述量子点微阵列为若干水溶性量子点通过带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层注入到所述玻片上孵育预定时间而成,所述量子点微阵列中量子点阵列点的数量与所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层中通孔的数量相等,所述量子点微阵列中量子点阵列点的排列方式与所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层中通孔的排列方式相同;所述带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层不可逆键合在所述玻片上,并且所述量子点微阵列的每个量子点阵列点的几何中心与所述带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层的每个通道的几何中心对应对齐;所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层为第二聚二甲基硅氧烷薄膜层贴合在第一聚二甲基硅氧烷薄膜层之上制成,所述第二聚二甲基硅氧烷薄膜层为带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层,所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜层为带有通孔的聚二甲基硅氧烷薄膜层。
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